三星调整下一代DRAM路线图 加速推进混合键合技术

据ZDNet Korea 23日报道，三星电子已将此前独立研发的B1b技术纳入正式路线图，并将下一代“D0a”的定义由垂直沟道晶体管（VCT）DRAM调整为B1b，而VCT则更名为“D0a-V”并继续并行研发。D0a将是三星首款10纳米以下DRAM。目前量产的1c为第六代10纳米级DRAM，下一代1d预计是最后一代10纳米级产品（相关纳米数字属于技术代际的市场命名，并非实际物理尺寸）。B1b将存储单元与外围电路分别制造在不同晶圆上，再通过晶圆对晶圆（W2W）混合键合连接，可提高集成密度，并允许两部分分别采用优化工艺。由于W2W混合键合已在CMOS图像传感器和高层数NAND闪存中实现量产，B1b商业化门槛低于VCT，因此三星正优先推进。公司还在评估将B1b用于HBM5，预计HBM5约于2029年量产；基于B1b的D0a DRAM距离商业化至少还有两年。业内认为，未来VCT DRAM和3D DRAM也可能以B1b为基础进一步发展。