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继续领涨！台积电拟规划生产3D DRAM先进存储芯片，科创芯片设计ETF国联安(588780)跟踪指数强势涨超2%
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【继续领涨！台积电拟规划生产3D DRAM先进存储芯片，科创芯片设计ETF国联安(588780)跟踪指数强势涨超2%】截至2026年11月9日09:33，科创芯片设计ETF国联安(588780)跟踪指数上证科创板芯片设计主题指数(950162)强势上涨2.13%。科创芯片设计ETF国联安盘中换手0.93%，成交764.93万元。成分股力芯微上涨5.80%，复旦微电上涨4.72%，峰岹科技上涨4.4
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