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长鑫科技：基于4F架构的第六代技术平台DRAM完成工程样片验证
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【长鑫科技：基于4F架构的第六代技术平台DRAM完成工程样片验证】长鑫科技10月30日在第三季度业绩交流会中透露，在4F2垂直沟道DRAM（动态随机存取存储器）架构取得关键突破的基础之上，第六代工艺技术平台已完成工程样片的验证。此前长鑫曾在学术论坛上介绍4F2架构进展，此次是长鑫首次宣布第六代工艺技术平台是基于4F2架构。按照产业实践，工程样片验证完成意味着该平台核心性能指标已在真实晶圆上达到设计
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