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SK海力士推出3D FeNAND技术
来源摘要 · 东方财富2026/10/15 19:28:41展开 / 收起
【SK海力士推出3D FeNAND技术】SK海力士现已公布3D FeNAND实现模拟存内计算的研究成果，相关研究已发表于IEEE论文。据介绍，A-CiM可利用模拟信号直接在存储器执行乘积累加运算，减少数据搬运、提升处理速度和能效。SK海力士表示，FeNAND可在单个存储单元内产生多种电流状态，适合AI计算所需的权重数据。（TheElec）
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