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铭芯启睿首款1Gb RRAM芯片完成流片 采用1T4R存储结构
来源摘要 · 东方财富2026/10/14 13:56:49展开 / 收起
【铭芯启睿首款1Gb RRAM芯片完成流片 采用1T4R存储结构】10月14日，界面新闻获悉，铭芯启睿（MemSilicon）近日宣布完成基于1TnR技术路线的首代高密度、大容量RRAM芯片“泰山一号（MountTai2026）”流片，目前正推进芯片验证。该芯片采用28nmCMOS工艺平台及1T4R存储结构，单芯片容量达1Gb，存储密度为30Mb/mm2，访问延时小于20ns，并集成片上硬件纠错电
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